IGBT, FGAF40S65AQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3-Pines 1 Simple

Name: IGBT, FGAF40S65AQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3-Pines 1 Simple
Brand: onsemi
SKU: 1857999
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 185-7999Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FGAF40S65AQ

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

94 W

Número de transistores

Tipo de Encapsulado

TO-3PF

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

Conteo de Pines

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.7 x 5.7 x 24.7mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Capacitancia de puerta

2590pF

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

325mJ

País de Origen

Korea, Republic Of

$ 1.060.200

$ 2.945 Each (In a Tube of 360) (Sin IVA)

$ 1.261.638

$ 3.504,55 Each (In a Tube of 360) (IVA Inc.)

IGBT, FGAF40S65AQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3-Pines 1 Simple

360

$ 1.060.200

$ 2.945 Each (In a Tube of 360) (Sin IVA)

$ 1.261.638

$ 3.504,55 Each (In a Tube of 360) (IVA Inc.)

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Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

94 W

Número de transistores

Tipo de Encapsulado

TO-3PF

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

Conteo de Pines

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.7 x 5.7 x 24.7mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Capacitancia de puerta

2590pF

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

325mJ

País de Origen

Korea, Republic Of