Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
120 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
298000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-3P
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 20.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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P.O.A.
30
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30
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Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
120 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
298000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-3P
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 20.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.