Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Ancho
5.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
País de Origen
Philippines
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 887
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.055,53
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 887
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.055,53
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Ancho
5.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
País de Origen
Philippines