MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código de producto RS: 166-3247Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDS4559
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Series

PowerTrench

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.5nC

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Configuración de transistor

Isolated

Ancho

4 mm

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Número de Elementos por Chip

2

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 1.055.000

$ 422 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.255.450

$ 502,18 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)

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Tipo de Canal

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60V

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SOIC

Series

PowerTrench

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.5nC

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Configuración de transistor

Isolated

Ancho

4 mm

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Número de Elementos por Chip

2

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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