Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Tipo P, Tipo N
Corriente continua máxima de drenaje ld
4.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
SOIC
Series
PowerTrench
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
12.5nC
Tensión directa Vf
0.8V
Disipación de potencia máxima Pd
2W
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Configuración de transistor
Isolated
Ancho
4 mm
Altura
1.5mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
No
Número de Elementos por Chip
2
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Volver a intentar más tarde
$ 1.055.000
$ 422 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.255.450
$ 502,18 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 1.055.000
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2500
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Brand
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MOSFET
Tipo de Canal
Tipo P, Tipo N
Corriente continua máxima de drenaje ld
4.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
SOIC
Series
PowerTrench
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
55mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
12.5nC
Tensión directa Vf
0.8V
Disipación de potencia máxima Pd
2W
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Configuración de transistor
Isolated
Ancho
4 mm
Altura
1.5mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
No
Número de Elementos por Chip
2
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


