MOSFET onsemi FDPF8D5N10C, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.07mm
Tensión de diodo directa
1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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P.O.A.
1000
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N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
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