MOSFET onsemi FDPF8D5N10C, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple

Name: MOSFET onsemi FDPF8D5N10C, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1811923

Código de producto RS: 181-1923Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDPF8D5N10C

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

76 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

4.9mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Altura

16.07mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

País de Origen

China

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

76 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

4.9mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Altura

16.07mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

País de Origen

China