MOSFET onsemi FDP4D5N10C, VDSS 100 V, ID 128 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Longitud:
10.36mm
Profundidad
4.67mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
15.21mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China
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$ 7.130
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 8.484,70
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 7.130 | $ 14.260 |
| 10 - 98 | $ 6.063 | $ 12.126 |
| 100 - 248 | $ 4.851 | $ 9.702 |
| 250 - 498 | $ 4.580 | $ 9.160 |
| 500+ | $ 4.303 | $ 8.606 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Longitud:
10.36mm
Profundidad
4.67mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
15.21mm
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