MOSFET onsemi FDMS86183, VDSS 100 V, ID 51 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 146-4116Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDMS86183
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

51 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

PQFN8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

63000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

5.85mm

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Serie

PowerTrench

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

1.05mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 1.847

Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

$ 2.197,93

Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi FDMS86183, VDSS 100 V, ID 51 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25$ 46.175
50$ 92.350
75$ 138.525
100$ 145.500
125$ 181.875
150$ 218.250
175$ 254.625
200$ 291.000
225$ 327.375
250$ 363.750
275$ 400.125
300$ 436.500
325$ 472.875
350$ 509.250
375$ 545.625

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150$ 218.250
175$ 254.625
200$ 291.000
225$ 327.375
250$ 363.750
275$ 400.125
300$ 436.500
325$ 472.875
350$ 509.250
375$ 545.625

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
25 - 75$ 1.847$ 46.175
100 - 475$ 1.455$ 36.375
500 - 975$ 1.233$ 30.825
1000 - 2975$ 1.005$ 25.125
3000+$ 973$ 24.325

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Maximum Continuous Drain Current

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PQFN8

Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

63000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

5.85mm

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Serie

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Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

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