MOSFET onsemi FDMS4D0N12C, VDSS 120 V, ID 67 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
67 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Tipo de Encapsulado
PQFN 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
106 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 6 V
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
Philippines
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$ 2.605
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 3.099,95
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Ancho
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1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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