Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Profundidad
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.75mm
País de Origen
Philippines
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$ 1.690
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 2.011,10
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 1.690
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$ 2.011,10
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
Maximum Continuous Drain Current
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Profundidad
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.75mm
País de Origen
Philippines