MOSFET onsemi FDMA3028N, VDSS 30 V, ID 3,8 A, MLP de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
MLP EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
123 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Largo
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,7 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
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10
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onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
MLP EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
123 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Largo
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,7 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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