MOSFET onsemi FDD120AN15A0, VDSS 150 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Serie
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
282 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,2 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
6.73mm
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.39mm
Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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P.O.A.
5
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Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
6.73mm
Profundidad
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Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
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