Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Tipo P, Tipo N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
SOT-23
Serie
PowerTrench
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
6
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
220mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
960mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
4.7nC
Tensión directa Vf
0.8V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Configuración de transistor
Isolated
Altura
1mm
Longitud:
3mm
Certificaciones y estándares
No
Número de elementos por chip
2
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Volver a intentar más tarde
$ 1.040
$ 208 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 1.238
$ 247,52 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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5
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Tipo P, Tipo N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
SOT-23
Serie
PowerTrench
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
6
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
220mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
960mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
4.7nC
Tensión directa Vf
0.8V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Configuración de transistor
Isolated
Altura
1mm
Longitud:
3mm
Certificaciones y estándares
No
Número de elementos por chip
2
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


