MOSFET onsemi FCP190N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
144000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
Altura
16.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 2.577
Each (In a Tube of 800) (Sin IVA)
$ 3.066,63
Each (In a Tube of 800) (IVA Incluido)
800
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 800 - 800 | $ 2.577 | $ 2.061.600 |
| 1600 - 2400 | $ 2.183 | $ 1.746.400 |
| 3200 - 4800 | $ 2.121 | $ 1.696.800 |
| 5600+ | $ 2.041 | $ 1.632.800 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
144000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
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