MOSFET onsemi FCMT180N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, Power88 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
Power88
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
Profundidad
8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
País de Origen
Philippines
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$ 2.519
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 2.997,61
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
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