Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Serie
FCH040N65S3
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
417000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
136 nC a 10 V
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 12.084
Each (In a Tube of 450) (Sin IVA)
$ 14.379,96
Each (In a Tube of 450) (IVA Incluido)
450
$ 12.084
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$ 14.379,96
Each (In a Tube of 450) (IVA Incluido)
450
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Serie
FCH040N65S3
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
417000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
136 nC a 10 V
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China