MOSFET onsemi FCH040N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 65 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi FCH040N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 65 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1723422
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 172-3422Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCH040N65S3-F155

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

FCH040N65S3

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

417000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.82mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

136 nC a 10 V

Altura

20.82mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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$ 12.084

Each (In a Tube of 450) (Sin IVA)

$ 14.379,96

Each (In a Tube of 450) (IVA Incluido)

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450

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

FCH040N65S3

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

417000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.82mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

136 nC a 10 V

Altura

20.82mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China