Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Common Anode
Tipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
5.5V
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
UDFN
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
10
Tensión de sujeción VC
15V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
1A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Corriente de prueba lt
1mA
Número de elementos por chip
4
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125°C
Profundidad
1 mm
Altura
0.5mm
Largo
2.5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Corriente de fugas inversa máxima
1μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
25
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Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Common Anode
Tipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
5.5V
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
UDFN
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
10
Tensión de sujeción VC
15V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
1A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Corriente de prueba lt
1mA
Número de elementos por chip
4
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125°C
Profundidad
1 mm
Altura
0.5mm
Largo
2.5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Corriente de fugas inversa máxima
1μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto


