Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Complex Array
Tipo de producto
Arrestor de protección ESD
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
UDFN-1210
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5.5V
Número de pines
6
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
100W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
3A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125°C
Altura
0.5mm
Longitud
1.2mm
Certificaciones y estándares
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
25
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Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Complex Array
Tipo de producto
Arrestor de protección ESD
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
UDFN-1210
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5.5V
Número de pines
6
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
100W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
3A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125°C
Altura
0.5mm
Longitud
1.2mm
Certificaciones y estándares
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto


