Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
9.8V
Tensión Mínima de Ruptura
5.4V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOD-923
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.15W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
0.85 x 0.65 x 0.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.4mm
Profundidad
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
0.9pF
Longitud:
0.85mm
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
25
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Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
9.8V
Tensión Mínima de Ruptura
5.4V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOD-923
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.15W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
0.85 x 0.65 x 0.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.4mm
Profundidad
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
0.9pF
Longitud:
0.85mm
Datos del producto