Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
9V
Tensión Mínima de Ruptura
4.8V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOD-923
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.15W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
0.85 x 0.65 x 0.4mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
0.9pF
Longitud
0.85mm
Altura
0.4mm
Profundidad
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
9V
Tensión Mínima de Ruptura
4.8V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOD-923
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.15W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
0.85 x 0.65 x 0.4mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
0.9pF
Longitud
0.85mm
Altura
0.4mm
Profundidad
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto