Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión mínima de ruptura Vbr
5.8V
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
SOD-923
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
0.3W
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Tensión de sujeción VC
12.5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
12.5A
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Número de Elementos por Chip
1
Certificaciones y estándares
No
Serie
ESD9B
Altura
0.4mm
Longitud
0.85mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
País de Origen
China
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
100
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión mínima de ruptura Vbr
5.8V
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
SOD-923
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
0.3W
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Tensión de sujeción VC
12.5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
12.5A
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Número de Elementos por Chip
1
Certificaciones y estándares
No
Serie
ESD9B
Altura
0.4mm
Longitud
0.85mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
País de Origen
China
Datos del producto


