Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Single
Tipo de Producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
5.8V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOD-923
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
0.3W
Tensión de sujeción VC
12.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
12.5A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
0.65 mm
Altura
0.4mm
Longitud
0.85mm
Certificaciones y estándares
No
Series
ESD9B
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
100
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Single
Tipo de Producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
5.8V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOD-923
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
0.3W
Tensión de sujeción VC
12.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
12.5A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
0.65 mm
Altura
0.4mm
Longitud
0.85mm
Certificaciones y estándares
No
Series
ESD9B
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto


