Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión mínima de ruptura Vbr
5V
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
SOD-923
Tensión de corte inversa máxima Vwm
3.3V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
0.3W
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
10.5A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Tensión de sujeción VC
10.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
0.85mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
ESD9B
Altura
0.4mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
País de Origen
China
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
100
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión mínima de ruptura Vbr
5V
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
SOD-923
Tensión de corte inversa máxima Vwm
3.3V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
0.3W
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
10.5A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Tensión de sujeción VC
10.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
0.85mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
ESD9B
Altura
0.4mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
País de Origen
China
Datos del producto


