Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Ánodo común
Tipo de Producto
Diodo de protección ESD
Tensión mínima de ruptura Vbr
4V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
UDFN
Tensión de corte inversa máxima Vwm
3.3V
Número de pines
10
Tensión de sujeción VC
11.4V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
16A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
1 mm
Altura
0.5mm
Largo
2.5mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1μA
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Protectores de ESD, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
$ 717.000
$ 239 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 853.230
$ 284,41 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 717.000
$ 239 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 853.230
$ 284,41 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
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3000
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Ánodo común
Tipo de Producto
Diodo de protección ESD
Tensión mínima de ruptura Vbr
4V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
UDFN
Tensión de corte inversa máxima Vwm
3.3V
Número de pines
10
Tensión de sujeción VC
11.4V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
16A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
1 mm
Altura
0.5mm
Largo
2.5mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1μA
País de Origen
Malaysia
Datos del producto


