Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Diodo de avalancha
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
5.6V
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
WDFN
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
10
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
16A
Tensión de sujeción VC
18V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Corriente de prueba lt
1mA
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Temperatura Máxima de Operación
85°C
Número de Elementos por Chip
4
Longitud
2.5mm
Altura
0.75mm
Certificaciones y estándares
IEC61000-4-2 Level 4
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1μA
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
25
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Diodo de avalancha
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
5.6V
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
WDFN
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
10
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
16A
Tensión de sujeción VC
18V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Corriente de prueba lt
1mA
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Temperatura Máxima de Operación
85°C
Número de Elementos por Chip
4
Longitud
2.5mm
Altura
0.75mm
Certificaciones y estándares
IEC61000-4-2 Level 4
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1μA
Estándar de automoción
No


