Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
CPH3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
215 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,6 nC a 4,5 V
Profundidad
1.6mm
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.9mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
P.O.A.
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Volver a intentar más tarde
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
CPH3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
215 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,6 nC a 4,5 V
Profundidad
1.6mm
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.9mm
Datos del producto


