Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
CPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
120 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.4 V
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de uso general, hasta 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
CPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
120 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.4 V
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de uso general, hasta 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.