Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
10V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-143
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
4
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.22W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Dimensiones
3.05 x 1.4 x 0.97mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Largo
3.05mm
Altura
0.97mm
Ancho
1.4mm
Corriente de Prueba
8mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
1.2pF
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
20
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
10V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-143
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
4
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.22W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Dimensiones
3.05 x 1.4 x 0.97mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Largo
3.05mm
Altura
0.97mm
Ancho
1.4mm
Corriente de Prueba
8mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
1.2pF
Datos del producto


