Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.01mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.2V
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 102
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 121,38
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 102
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 121,38
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
---|---|---|
3000 - 6000 | $ 102 | $ 306.000 |
9000 - 42000 | $ 88 | $ 264.000 |
45000 - 96000 | $ 79 | $ 237.000 |
99000+ | $ 76 | $ 228.000 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 10 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.01mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.2V
País de Origen
China