MOSFET onsemi BUZ11-NR4941, VDSS 50 V, ID 30 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
16.51mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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$ 7.245
$ 1.449 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 8.622
$ 1.724,31 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | $ 1.449 | $ 7.245 |
| 50 - 95 | $ 1.251 | $ 6.255 |
| 100 - 495 | $ 1.084 | $ 5.420 |
| 500 - 995 | $ 951 | $ 4.755 |
| 1000+ | $ 866 | $ 4.330 |
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Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
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Largo
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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Si
Altura
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MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
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