Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 206
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 245,14
Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)
100
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Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)
100
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
100 - 100 | $ 206 | $ 20.600 |
200 - 400 | $ 196 | $ 19.600 |
500 - 900 | $ 186 | $ 18.600 |
1000 - 1900 | $ 129 | $ 12.900 |
2000+ | $ 123 | $ 12.300 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto