Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Altura
0.94mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 72
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 85,68
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 72
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 85,68
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
---|---|---|
3000 - 3000 | $ 72 | $ 216.000 |
6000+ | $ 67 | $ 201.000 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Altura
0.94mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto