Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Largo
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 405
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 481,95
Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)
25
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Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
25 - 100 | $ 405 | $ 10.125 |
125 - 475 | $ 397 | $ 9.925 |
500 - 1225 | $ 384 | $ 9.600 |
1250+ | $ 378 | $ 9.450 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Largo
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto