MOSFET onsemi BSS123LT1G, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 373
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 443,87
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | $ 373 | $ 3.730 |
| 100 - 140 | $ 356 | $ 3.560 |
| 150 - 740 | $ 354 | $ 3.540 |
| 750 - 1490 | $ 346 | $ 3.460 |
| 1500+ | $ 329 | $ 3.290 |
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N
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SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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