Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
8 to 80mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Largo
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.3mm
Altura
0.97mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 6.900
$ 69 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 8.211
$ 82,11 Each (In a Pack of 100) (IVA Inc.)
Estándar
100
$ 6.900
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N
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
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Single
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Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Largo
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.3mm
Altura
0.97mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


