Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
8 to 80mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Altura
0.97mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Largo
2.9mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 207.000
$ 69 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 246.330
$ 82,11 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 207.000
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$ 82,11 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
3000
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N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
8 to 80mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Altura
0.97mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Largo
2.9mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


