Transistor Darlington, BD682STU, PNP -4 A, 100 V, HFE:750, TO-126, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
-4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-500µA
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
8mm
Altura
11mm
Profundidad
3.25mm
Disipación de Potencia Máxima
14000 mW
Dimensiones del Cuerpo
8 x 3.25 x 11mm
Datos del producto
Transistores PNP Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Each (In a Tube of 60) (Sin IVA)
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PNP
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-4 A
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100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-500µA
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
8mm
Altura
11mm
Profundidad
3.25mm
Disipación de Potencia Máxima
14000 mW
Dimensiones del Cuerpo
8 x 3.25 x 11mm
Datos del producto
Transistores PNP Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
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