Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-225
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.8 V dc
Altura
11.1mm
Profundidad
3mm
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
7.8 x 3 x 11.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
7.8mm
País de Origen
China
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P.O.A.
500
P.O.A.
500
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-225
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.8 V dc
Altura
11.1mm
Profundidad
3mm
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
7.8 x 3 x 11.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
7.8mm
País de Origen
China