Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
12,5 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
63
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
8.3 x 3.45 x 11.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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$ 707
Each (In a Tube of 60) (Sin IVA)
$ 841,33
Each (In a Tube of 60) (IVA Inc.)
60
$ 707
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$ 841,33
Each (In a Tube of 60) (IVA Inc.)
60
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
60 - 60 | $ 707 | $ 42.420 |
120 - 240 | $ 665 | $ 39.900 |
300+ | $ 637 | $ 38.220 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
12,5 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
63
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
8.3 x 3.45 x 11.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.