Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
8.3 x 3.45 x 11.2mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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$ 707
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 841,33
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
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20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
20 - 80 | $ 707 | $ 14.140 |
100 - 480 | $ 500 | $ 10.000 |
500 - 980 | $ 408 | $ 8.160 |
1000 - 1980 | $ 330 | $ 6.600 |
2000+ | $ 283 | $ 5.660 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
8.3 x 3.45 x 11.2mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.