Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
420
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
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P.O.A.
250
P.O.A.
250
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onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
420
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China