Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
5.33mm
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
5.33mm