Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200, 420
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200, 420
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China