MOSFET onsemi ATP102-TL-H, VDSS 30 V, ID 40 A, ATPAK de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ATPAK
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
7.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Altura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
3000
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P
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Tipo de Encapsulado
ATPAK
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
7.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Altura
1.5mm
País de Origen
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