MOSFET onsemi 2V7002KT1G, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 72
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 85,68
Each (Supplied as a Tape) (IVA Incluido)
200
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
|---|---|---|
| 200 - 800 | $ 72 | $ 14.400 |
| 1000 - 2800 | $ 50 | $ 10.000 |
| 3000 - 8800 | $ 39 | $ 7.800 |
| 9000+ | $ 35 | $ 7.000 |
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Altura
1.01mm
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