MOSFET onsemi 2V7002KT1G, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 64
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 76,16
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 64
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 76,16
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | $ 64 | $ 192.000 |
| 9000+ | $ 39 | $ 117.000 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products