MOSFET onsemi 2V7002KT1G, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
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Volver a intentar más tarde
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N
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SOT-23-5
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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