MOSFET onsemi 2SK3747-1E, VDSS 1.500 V, ID 2 A, TO-3P de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Tipo de Encapsulado
TO-3P
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V, +35 V
Profundidad
5.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
15.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37,5 nC a 10 V
Altura
24.5mm
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
30
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N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Tipo de Encapsulado
TO-3P
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V, +35 V
Profundidad
5.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
15.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37,5 nC a 10 V
Altura
24.5mm
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