Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
PCP
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
3.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
390 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores de potencia PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
1000
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1000
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onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
PCP
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
3.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
390 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores de potencia PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.